一、引言
 
 從實(shí)際應(yīng)用的角度來(lái)看：安裝使用簡(jiǎn)單、體積相對(duì)較小的大功率LED器件在大部分的照明應(yīng)用中必將取代傳統(tǒng)的小功率LED器件。其好處是非常明顯的，小功率的LED組成的照明燈具為了達(dá)到照明的需要，必須集中許多個(gè)LED的光能才能達(dá)到設(shè)計(jì)要求。帶來(lái)的缺點(diǎn)是線路異常復(fù)雜，散熱不暢，為了平衡各個(gè)LED之間的電流電壓關(guān)系必需設(shè)計(jì)復(fù)雜的供電電路。相比之下，大功率LED單體的功率遠(yuǎn)大于單個(gè)LED等于若干個(gè)小功率LED的總和，供電線路相對(duì)簡(jiǎn)單，散熱結(jié)構(gòu)完善，物理特性穩(wěn)定。所以說(shuō)，大功率LED器件代替小功率LED器件成為主流半導(dǎo)體照明器件是必然的。但是對(duì)于大功率LED器件的封裝方法我們并不能簡(jiǎn)單的套用傳統(tǒng)的小功率LED器件的封裝方法與封裝材料。大的耗散功率，大的發(fā)熱量，高的出光效率給我們的封裝工藝封裝設(shè)備和封裝材料提出了新的更高的要求。
 
 二、大功率LED芯片
 
 要想得到大功率LED器件就必須制備合適的大功率LED芯片。國(guó)際上通常的制造方法有如下幾種：
 
 2.1加大尺寸法：
 
 通過(guò)增大單顆LED的有效發(fā)光面積，和增大尺寸后促使得流經(jīng)TCL層的電流均勻分布而特殊設(shè)計(jì)的電極結(jié)構(gòu)（一般為梳狀電極）之改變以求達(dá)到預(yù)期的光通量。但是，簡(jiǎn)單的增大發(fā)光面積無(wú)法解決根本的散熱問(wèn)題和出光問(wèn)題，并不能達(dá)到預(yù)期的光通量和實(shí)際應(yīng)用效果。
 2.2硅底板倒裝法：
 
 首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸LED芯片（Flip 
 Chip LED）。同時(shí)制備出相應(yīng)尺寸的硅底板，并在上制作出供共晶焊接的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)電層（超聲金絲球焊點(diǎn)）。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大尺寸LED芯片與硅底板焊接在一起。（這樣的結(jié)構(gòu)較為合理，即考慮了出光問(wèn)題又考慮到了散熱問(wèn)題，這是目前主流的High Output Power Chip LED生產(chǎn)方式。）
 
 美國(guó)LumiLeds公司2001年研制出了AlGaInN功率型倒裝芯片（FCLED）結(jié)構(gòu)，具體做法為：第一步，在外延片頂部的P型GaN：Mg淀積厚度大于500A的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射；第二步，采用掩模選擇刻蝕掉P型層和多量子阱有源層，露出N型層；第三步，淀積、刻蝕形成N型歐姆接觸層，芯片尺寸為1×1mm2，P型歐姆接觸為正方形，N歐姆接觸以梳狀插入其中，這樣可縮短電流擴(kuò)展距離，把擴(kuò)展電阻降至最�。坏谒牟�，將金屬化凸點(diǎn)的AlGaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管（ESD）的硅載體上。