1.電壓·電流特性。
光電二極管的電壓—電流特性在無光照時，它的特性與一般二極管一樣。受光后，它的特性曲線沿電流軸向下平移，平移的幅度與光照強度成正比例。特性曲線在第三象限時，表達了管子在加有反向電壓并受光照時的反向特性。此特性表明：
a.反向電流隨入射光照度的增加而增大，在一定的反向電壓范圍內，反向電流的大小幾乎與反向電壓高低無關。 
b.在入射照度一定時，光電二極管相當于一個恒流源，其輸出電壓與負載電阻增大而升高。如只R1～>R2，則輸出電壓URl>Uc，其中URl=Uc—Ul，UR2=Uc—U2。特性曲線在第四象限時，它呈光電池特性，光照強度越大，負載電阻越小，電流越大。即R1>R2時，則I2>I1。
2.反向工作電壓UR。
在無光照時，光電二極管中反向電流≤0．2—0．31μA時，允許的最高反向電壓一般不大于10V，最高可達50V。
3.暗電流ID。
在無光照時，加一定反向電壓時的反向漏電流與暗電流。通常在50V反壓下的暗電流小于100nA。
4.光電流IL。
在受到一定光照及一定反壓條件下，流過管子的電流為光電流。一般光電流為幾十μA，并且與照度成線性關系。
5.光譜響應特性。
硅光電二極管的光譜范圍為400～1100nm，其峰值波長為880～900nm，這與GaAs紅外發(fā)光二極管的波長相匹配，可獲得較高的傳輸效率。