以低成本實現(xiàn)三維LSI（TFT和光電二極管等多個元件縱向層疊）的方法亮相。通過半導體激光使中間夾有一層絕緣膜的2層硅薄膜同時結晶，這是奈良尖端科學技術研究生院大學、產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所及愛發(fā)科（ULVAC）合作小組的成果。  
　　使用綠色激光  
　　開發(fā)小組在玻璃底板上形成了2層硅薄膜，硅薄膜中間夾有氧化硅，通過向上層照射半導體激光，上層、下層硅薄膜可同時結晶。使用波長較長的半導體綠色激光（波長532nm），上層的硅層不完全吸收所照射的激光，透過的激光讓下層吸收。  
　　硅薄膜結晶一般使用的激光波長較短，約為300nm以下，因此上層的硅膜吸收了大部分的光。這樣，使用準分子激光法便需要從下層開始逐次進行層疊和結晶，工藝成本比較高。  
膜質量與單結晶相當，嘗試用于人工視網(wǎng)膜LSI  
　　用此次的方法完成結晶的硅薄膜，上層可形成粒徑1μm左右的多結晶，下層可形成粒徑幾十納米的微結晶。上層的載流子遷移率為550cm2/（V-1s-1），與單結晶相當，可用于TFT的通道部分等。例如，通過在上層硅膜上嵌入TFT，在下層硅膜上嵌入光電二極管，“能夠實現(xiàn)人工視網(wǎng)膜LSI”（奈良尖端科學技術研究生院大學 副教授浦岡行治），開發(fā)小組計劃推進人工視網(wǎng)膜的應用開發(fā)。  
　　在使用綠色激光實現(xiàn)結晶化的硅薄膜領域，此前沒有實現(xiàn)如此高的載流子遷移率的先例。與使用氣體的準分子激光相比，使用類似綠色激光這樣的半導體激光具有維護成本低的優(yōu)點。