由江蘇宏微科技有限公司自主研發(fā)的大功率超快速軟恢復(fù)外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片順利通過(guò)有關(guān)專家組鑒定。專家組一致認(rèn)為，該公司自主研制的非穿通型（NPT）IGBT芯片和FRED芯片，主要性能指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，其中1200V IGBT主要性能指標(biāo)超過(guò)了國(guó)際同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。標(biāo)志著我國(guó)新型電力半導(dǎo)體器件從此走上了產(chǎn)業(yè)化道路，開(kāi)始追趕并逐漸超越世界領(lǐng)先水平的新里程。

    IGBT和FRED器件是電力電子裝置和系統(tǒng)中的CPU，被國(guó)際電力電子行業(yè)公認(rèn)為電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的器件。新型電力電子技術(shù)是改造傳統(tǒng)工業(yè)、促進(jìn)新型高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一，可廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)、太陽(yáng)能電源、航空、航天等多個(gè)領(lǐng)域。

    近年來(lái)，我國(guó)電力電子器件的市場(chǎng)一直保持快速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。2011年預(yù)計(jì)市場(chǎng)銷售收入總額將突破1680億元，年均增長(zhǎng)率將達(dá)到20.1%。在分立器件中，大功率高頻新型電力半導(dǎo)體器件IGBT、VDMOS 和FRED是增長(zhǎng)最快的器件，年增長(zhǎng)速率將達(dá)到25%左右。