電容的主要參數(shù)如下：
1.標(biāo)稱容量及偏差
電容量是電容器的基本參數(shù)，其數(shù)值標(biāo)注在電容器表面上。不同類型的電容器有不同系列的容量標(biāo)稱值。電容器的容量偏差等級有多種，一般偏差都在5%以上。
2.額定電壓
能夠保證長期工作而不致?lián)舸╇娙萜鞯淖畲箅妷悍Q為電容器的額定工作電壓。額定電壓系列隨電容器種類不同而有所不同，例如，紙介和瓷介電容器的額定電壓可從幾十伏到幾萬伏；電解電容器的額定電壓可從幾伏到幾千伏。額定電壓的數(shù)值通常都在電容器上標(biāo)出。
3.溫度系數(shù)
電容溫度系數(shù)定義： 溫度變化所引起的容量相對變化。
4.絕緣電阻
理想電容器的介質(zhì)應(yīng)當(dāng)是不導(dǎo)電的絕緣體，實際電容器介質(zhì)的電阻為絕緣電阻，有時亦稱為漏電阻。
電容器的絕緣電阻：直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏導(dǎo)電流，兩者之比稱為絕緣電阻。當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)和介質(zhì)的性能。
5.損耗角正切
實際在電容器兩端加交流電壓時要產(chǎn)生功率損耗。產(chǎn)生損耗的原因是由電容器絕緣電阻造成的。一般用電容器損耗功率（有功功率）與電容器存儲功率（無功功率）之比來表示，定義為損耗角正切 tgδ。
電容器損耗角正切的tgδ值相差很大，尤其對高頻電路或?qū)π盘栂辔灰�求�?yán)格的電路，電容器的tgδ值大小對電路的性能有較大的影響，電容損耗角正切tgδ值越小越好。
對電容器而言，常用損耗角δ和損耗因數(shù)D來衡量其質(zhì)量。
6. 損耗因數(shù)
電容在電場作用下因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小。在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。