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  • LED芯片倒裝工藝原理以及應(yīng)用簡介

    作者:佚名 來源:本站整理 時間:2014-01-12 20:22 閱讀:6356 [投稿]
    倒裝焊(Flip-Chip)技術(shù)通過共晶焊將LED芯片倒裝到具有更高導(dǎo)熱率的硅襯底上,芯片與襯底間的金凸點和硅襯底同時提高了LED芯片的散熱能力,保障LED的熱量能夠快速從芯片中導(dǎo)出。

    可靠性提升

    LED的可靠性由LED芯片、熒光粉、硅膠、支架、金線等材料共同決定,其中LED芯片產(chǎn)生的熱量如不能快速導(dǎo)出,將直接影響LED芯片的結(jié)溫和熒光粉、硅膠的可靠性。目前熒光粉根據(jù)體系不同,耐高溫能力也有較大的差別,通常熒光粉在100-120℃以上開始有衰減,因此如何降低LED芯片表面的溫度成為提高LED可靠性的關(guān)鍵因素。垂直結(jié)構(gòu)芯片能夠通過金屬襯底將熱量快速導(dǎo)出至支架中,芯片表面溫度較低,正裝芯片熱量通過藍寶石導(dǎo)出至支架中,由于藍寶石導(dǎo)熱率較低(約20W/mK),熱量無法快速導(dǎo)出,逐漸累積,對熒光粉的可靠性影響較大。倒裝結(jié)構(gòu)的芯片的熱量絕大部分向下通過金凸點快速導(dǎo)入至硅基板(導(dǎo)熱率約120W/mK)中,再由硅基板導(dǎo)入支架中,而向上由于藍寶石導(dǎo)熱率低,只有小部分熱量積累在藍寶石中,實現(xiàn)熱(向下導(dǎo)出)和光的分離(向上射出)設(shè)計,同時藍寶石的表面溫度較低,可以延長熒光粉的老化周期,大大提高LED的可靠性和壽命。同時,由于倒裝結(jié)構(gòu)的良好散熱設(shè)計,倒裝1W芯片可以具有更好的L-I線性關(guān)系(見圖3)和飽和電流容忍能力及大電流承受能力。倒裝1W功率芯片可支持長期室溫780mA大電流老化。


    2、1W功率芯片安裝的路燈實例分析照明效果

    LED倒裝芯片以其低電壓(3.0V以下)、高光效(100-110lm/W)、高穩(wěn)定性而逐漸被國內(nèi)大多數(shù)燈具廠家應(yīng)用于路燈照明中,F(xiàn)以一客戶用倒裝芯片安裝的路燈為例對高壓鈉燈和LED路燈進行對比分析。港前大道在改造前采用400W(頂燈)+150W(腰燈)高壓鈉燈路燈,每桿日耗電量為6.6度,改造后采用180W(頂燈)+60W(腰燈) LED路燈,每桿日耗電量為3.1度,道路照明質(zhì)量完全達到城市道路照明標(biāo)準(zhǔn)CJJ-45-2006的要求,節(jié)能53%。采用德國LM-1009道路專用窄視角亮度計,按道路照明亮度測量方法(測量儀器位于距離起始被測點60米處,儀器高度1.2米,沿車道中心線測量兩燈桿間亮度最高和最低處,逐點測量),改造前該路面最大照度為42Lx,最小照度為8Lx,平均照度30Lx,均勻度0.3;改造后該路面最大照度為23Lx,最小照度為12Lx,平均照度18Lx,均勻度0.75。

    由于LED光源的顯色性在70以上,亮度分布均勻,對目標(biāo)的辨別能力遠好于顯色指數(shù)為23的高壓鈉燈,在道路照明的條件下(中間視覺),適當(dāng)降低白光LED的照度要求(降低1/3),可以達到與高壓鈉燈同等的照明效果。此次在港前大道更換使用LED路燈后,路面總體均勻度、縱向均勻度、橫向均勻度均達到了0.70以上,取得很好的照明效果。

    未來LED的芯片發(fā)展方向

    目前高功率的LED路燈主要通過“多顆芯片金線串并聯(lián)”和“多顆LED通過PCB串并聯(lián)”的方式來實現(xiàn)。前者由于芯片之間需要進行光電參數(shù)的匹配,且多顆金線串并聯(lián)封裝的工藝不可靠性和低封裝良率,一直未被廣泛使用。而后者則需要對多顆LED進行嚴(yán)格的光電參數(shù)匹配,且光學(xué)設(shè)計困難。因此,“芯片級”模組化產(chǎn)品是未來LED芯片的一個重要發(fā)展方向。芯片級LED模組,單顆芯片間通過基板內(nèi)的電路實現(xiàn)串并聯(lián)連接,解決傳統(tǒng)模組集成依靠金線進行串并聯(lián)的問題,大幅度提升產(chǎn)品良品率,極大地降低了整個封裝流程的生產(chǎn)成本,嚴(yán)格控制集成模組芯片的各芯片間的參數(shù)差異,保證模組芯片長期使用的可靠性,同時模組芯片可以作為單元,進行串并聯(lián)拼接,形成更大功率的模組。 利用倒裝技術(shù),可以在“芯片級”上實現(xiàn)不同尺寸、顏色、形狀、功率的多芯片集成,實現(xiàn)超大功率模組產(chǎn)品,這是任何其它的芯片技術(shù)不能達到的優(yōu)勢。

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