4.7.原子層外延生長(zhǎng)法

原子層外延法是一種超薄薄膜低溫生長(zhǎng)技術(shù),其特點(diǎn)是將參與反應(yīng)的蒸汽源依次導(dǎo)入生長(zhǎng)室,使其交替在襯底表面吸附而發(fā)生反應(yīng),慢慢淀積成膜,兩氣體束流同時(shí)還具有清洗生長(zhǎng)室的作用。在生長(zhǎng)過(guò)程中,反應(yīng)氣有很高的利用率,而且生長(zhǎng)至一定程度時(shí),薄膜的生長(zhǎng)速率保持恒定,達(dá)到飽和時(shí),反應(yīng)將自動(dòng)終止,具有明顯的自限制機(jī)制,從而形成一定厚度的薄膜 。由原子層外延法制備的ZnO薄膜,表面光潔度高,化學(xué)性能更加穩(wěn)定,目前主要用于太陽(yáng)能電池。生長(zhǎng)控制較好、受其它因素的影響較小也使該方法易于實(shí)現(xiàn)規(guī)�；�,用于工業(yè)生產(chǎn)。

5.結(jié)論

ZnO薄膜以其自身結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及多種摻雜的可行性具備了多種優(yōu)越的性能，涉及光學(xué)、電學(xué)等多種領(lǐng)域，觸及光纖通信、集成電路、太陽(yáng)能電池板和氣體檢測(cè)等日常生活、高尖端研究各個(gè)方面，又以其原料豐富、價(jià)格低廉、制備方法多樣和工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，無(wú)疑具有廣闊的研究和應(yīng)用前景。

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