另一類是采用體硅微機械工藝制作(如圖2所示)，一般采用深反應離子刻蝕(DRIE)方法去除像素下方的硅襯底釋放像素陣列，紅外輻射能無遮擋地入射到像素結構中的紅外吸收層上，大幅提高了紅外輻射的利用率；由于像素結構下的硅襯底被去除，避免了像素和襯底的粘連；但是深反應離子刻蝕過程中高能粒子的轟擊會對像素結構帶來一定程度的損傷，去除像素下方的硅襯底會造成器件的機械強度下降；另外如果像素下方的硅襯底被全部去除時，像素之間會有嚴重的熱串擾。 

在目前的方案中，可見光反射層通常直接沉積在紅外吸收層之上，一方面由于雙材料效應會導致可動微鏡形變，導致器件靈敏度下降；另一方面，可見光反射層面積占整個像素面積的比例較小，像素間無讀出信號的空間較大，像素可見光利用率低。 

因此，目前的制作方法，還不能同時滿足光學讀出紅外探測器對器件機械強度、熱串擾、像素的無損釋放、紅外輻射利用率、可動微鏡平整度和可見光利用率等方面的要求。