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  • 1.3μm波段InAs/GaAs量子點激光器性能研究

    作者:楊維凱\王海龍 來源:網(wǎng)絡 時間:2018-07-14 15:30 閱讀:6627 [投稿]
    利用氣態(tài)源分子束外延技術在GaAs襯底上生長InAs量子點材料,研制出激射波長為1.3 μm波段由5層量子點組成的3 mm腔長、3 μm脊條寬度的InAs/GaAs量子點激光器。

    為研究溫度變化對器件功率輸出性能的影響,測量了不同溫度(10~50 ℃)下的激光器的I-P曲線,如圖5所示。 


    對不同溫度下的I-P曲線進行分析,可以得出:激光器的最高工作溫度為50 ℃;隨溫度升高,激光器的最大輸出功率降低,從36.6 mW下降到3.9 mW,同時器件斜效率減小,激光器性能迅速下降。這是因為溫度升高時填充介質損耗增加,而且載流子散射加劇,使得能夠轉化為光子的電子-空穴對的數(shù)目減少,基態(tài)強度變小,從而光增益抵消更多的損耗,凈增益變小,性能下降。

    特征溫度T0 反映的是激光器閾值電流密度的溫度穩(wěn)定性,理論上。但是,由實驗測得的特征溫度與理論值相比還有很大差距。閾值電流密度Jth 與熱沉溫度T 的變化滿足[13]:

    其中,J0 是溫度為0 K時的閾值電流密度,T0 為器件的特征溫度?梢钥闯,激光器的閾值電流密度隨溫度的變化呈現(xiàn)指數(shù)關系,即隨溫度升高,閾值電流密度指數(shù)上升,使得器件性能下降。量子點激光器的閾值電流密度隨溫度的變化關系,如圖6所示。

     

    利用式(1)和式(2)線性擬合出激光器的特征溫度T0 為40 K,J0 為0.4 A/cm2?梢哉f,特征溫度的高低能夠直接反映激光器中載流子受溫度散射的強弱。提高特征溫度,就要加強對載流子的限制。

    2.3 電壓輸出特性

    量子點激光器的電壓輸出性能與激光器工作溫度密切相關。因為溫度的變化會使有源層內載流子濃度、遷移率以及填充介質的導電性發(fā)生變化。為探究溫度變化對激光器電壓輸出性能的影響,測量了不同溫度(10~50 ℃)下激光器的I-V曲線,如圖7所示。 


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