近日，國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心和鵬城實(shí)驗(yàn)室的光電融合聯(lián)合團(tuán)隊(duì)完成了2Tb/s硅光互連芯粒（chiplet）的研制和功能驗(yàn)證，在國(guó)內(nèi)首次驗(yàn)證了3D硅基光電芯粒架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了單片最高達(dá)8×256Gb/s的單向互連帶寬。

該團(tuán)隊(duì)在 2021 年 1.6T 硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法，研制出硅光配套的單路超 200G driver 和 TIA 芯片，并攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù)，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

硅光互連芯粒的側(cè)向顯微鏡結(jié)構(gòu)

經(jīng)系統(tǒng)傳輸測(cè)試，8個(gè)通道在下一代光模塊標(biāo)準(zhǔn)的 224Gb/s PAM4光信號(hào)速率下，TDECQ均在2dB以內(nèi)。通過(guò)進(jìn)一步鏈路均衡，最高可支持速率達(dá)8×256Gb/s，單片單向互連帶寬高達(dá)2Tb/s。

成果將廣泛應(yīng)用于下一代算力系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各類光模塊產(chǎn)品中，為國(guó)內(nèi)信息光電子技術(shù)的率先突圍探索出可行路徑。