led外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開始做電極(p極，n極)，接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，也就是形成led晶片(方片)。然后還要進(jìn)行目測(cè)，把有一點(diǎn)缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛 片等。不良品的外延片(主要是有一些參數(shù)不符合要求)，就不用來做方片，就直接做電極(p極，n極)，也不做分檢了，也就是目前市場(chǎng)上的led大圓片。
　　半導(dǎo)體制造商主要用拋光si片(pw)和外延si片作為ic的原材料。20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片，它具有標(biāo)準(zhǔn)pw所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長(zhǎng)和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。 
外延產(chǎn)品
　　外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個(gè)方面，cmos互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。cmos產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域，并被ic制造商用于不可恢復(fù)器件工藝，包括微處理器和邏輯芯片以及存儲(chǔ)器應(yīng)用方面的閃速存儲(chǔ)器和dram(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密si特性的元件�！捌娈悺�(exotic)半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非si材料，其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重?fù)诫s區(qū)進(jìn)行物理隔離，這也是在外延加工中沉積的。 
led外延片--襯底材料
　　襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下11個(gè)方面：
1、結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小 　　
2、界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng) 　　
3、化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕 　　
4、熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小 　　
5、導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu) 
6、光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小 　　
7、機(jī)械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等 　　
8、價(jià)格低廉。 　　
9、大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。 　　
10、容易得到規(guī)則形狀襯底(除非有其他特殊要求)，與外延設(shè)備托盤孔相似的襯底形狀才不容易形成不規(guī)則渦流，以至于影響外延質(zhì)量。 　　
11、在不影響外延質(zhì)量的前提下，襯底的可加工性盡量滿足后續(xù)芯片和封裝加工工藝要求。
led外延片的襯底材料考慮的因素： 　　
1、襯底與外延膜的結(jié)構(gòu)匹配：外延材料與襯底材料的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配小、結(jié)晶性能好、缺陷密度低; 　　
2、襯底與外延膜的熱膨脹系數(shù)匹配：熱膨脹系數(shù)的匹配非常重要，外延膜與襯底材料在熱膨脹系數(shù)上相差過大不僅可能使外延膜質(zhì)量下降，還會(huì)在器件工作過程中，由于發(fā)熱而造成器件的損壞; 　　
3、襯底與外延膜的化學(xué)穩(wěn)定性匹配：襯底材料要有好的化學(xué)穩(wěn)定性，在外延生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不易分解和腐蝕，不能因?yàn)榕c外延膜的化學(xué)反應(yīng)使外延膜質(zhì)量下降; 　　
4、材料制備的難易程度及成本的高低：考慮到產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的需要，襯底材料的制備要求簡(jiǎn)潔，成本不宜很高。襯底尺寸一般不小于2英寸。