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回帖：使用扫描电子束光刻将纳米线图案化为分形设计，然后通过反应离子蚀刻转移到NbTiN层。通过对齐光刻和IBD沉积顶部SiO2缺陷层和额外的Ta2O5/SiO2交替层来完成微腔。使用光刻、电感耦合等离子体蚀刻和博世蚀刻工艺将芯片塑造成钥匙孔形状，并进行光纤连接封装。