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    [推薦]真空鍍膜 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2007-01-05
    這是一個(gè)實(shí)驗(yàn) 不錯(cuò)的實(shí)驗(yàn) u?F^gIw  
    實(shí)驗(yàn)35 真空鍍膜 yMz dM&a!*  
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    真空鍍膜技術(shù),在現(xiàn)代工業(yè)和科技中有廣泛的應(yīng)用,例如光學(xué)儀器上的各種反射膜、增透膜和濾光片、電子器件中的薄膜電阻、大規(guī)模集成電路、硬質(zhì)保護(hù)膜、磁性薄膜等。通過本實(shí)驗(yàn)可掌握真空鍍膜的實(shí)驗(yàn)原理和方法。 2@6Qifxd@  
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    [實(shí)驗(yàn)?zāi)康腯 SIZ&0V  
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    1、熟悉真空的獲得與測量方法。 zNO,vR[\  
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    2、掌握高真空蒸發(fā)鍍膜的基本工藝技術(shù)。 c Cx_tGR"  
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    [實(shí)驗(yàn)原理] S l`F`  
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    真空鍍膜中常用的方法有真空蒸發(fā)和離子濺射。真空蒸發(fā)鍍膜是在真空度不低于10-2Pa的環(huán)境中,用電阻加熱或電子束和激光轟擊等方法把要蒸發(fā)的材料加熱到一定溫度,使材料中分子或原子的熱振動(dòng)能量超過表面的束縛能,從而使大量分子或原子蒸發(fā)或升華,并直接沉淀在基片上形成薄膜。離子濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場的作用下的高速運(yùn)動(dòng)轟擊作為陰極的靶,使靶材中的原子或分子逸出來而沉淀到被鍍工件的表面,形成所需要的薄膜。 Z?<&@YQS  
    O@>ZYA%  
    真空蒸發(fā)鍍膜最常用的是電阻加熱法,其優(yōu)點(diǎn)是加熱源的結(jié)構(gòu)簡單,造價(jià)低廉,操作方便;缺點(diǎn)是不適用于難熔金屬和耐高溫的介質(zhì)材料。電子束加熱和激光加熱則能克服電阻加熱的缺點(diǎn)。電子束加熱上利用聚焦電子束直接對被轟擊材料加熱,電子束的動(dòng)能變成熱能,使材料蒸發(fā)。激光加熱是利用大功率的激光作為加熱源,但由于大功率激光器的造價(jià)很高,目前只能在少數(shù)研究性實(shí)驗(yàn)室中使用。 to{7B7t>q  
    ~c=F$M^"c  
    濺射技術(shù)與真空蒸發(fā)技術(shù)有所不同!盀R射”是指荷能粒子轟擊固體表面(靶),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。射出的粒子大多呈原子狀態(tài),常稱為濺射原子。用于轟擊靶的濺射粒子可以是電子,離子或中性粒子,因?yàn)殡x子在電場下易于加速獲得所需要?jiǎng)幽埽虼舜蠖疾捎秒x子作為轟擊粒子。濺射過程建立在輝光放電的基礎(chǔ)上,即濺射離子都來源于氣體放電。不同的濺射技術(shù)所采用的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電;三極濺射是利用熱陰極支持的輝光放電;射頻濺射是利用射頻輝光放電;磁控濺射是利用環(huán)狀磁場控制下的輝光放電。 NI:3hfs  
    JA$RY  
    濺射鍍膜與真空蒸發(fā)鍍膜相比,有許多優(yōu)點(diǎn)。如任何物質(zhì)均可以濺射,尤其是高熔點(diǎn),低蒸氣壓的元素和化合物;濺射膜與基板之間的附著性好;薄膜密度高;膜厚可控制和重復(fù)性好等。缺點(diǎn)是設(shè)備比較復(fù)雜,需要高壓裝置。 G+1i~&uV  
    5^97#;Q;J"  
    此外,將蒸發(fā)法與濺射法相結(jié)合,即為離子鍍。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是得到的膜與基板間有極強(qiáng)的附著力,有較高的沉積速率,膜的密度高。 kxLWk%V  
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