中國(guó)企業(yè)自主研發(fā)的內(nèi)存芯片亮相美國(guó)
韓媒稱,中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)清華紫光推出自主研發(fā)的內(nèi)存芯片,將在美國(guó)硅谷首次公開。中美貿(mào)易戰(zhàn)之下,中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)宣布進(jìn)軍市場(chǎng)。據(jù)韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》網(wǎng)站8月7日?qǐng)?bào)道,據(jù)悉,清華紫光的子公司長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)從8月7日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)出席美國(guó)《美國(guó)的快閃記憶體高峰會(huì)(Flash Memory Summit)》,公開32層、64層3D NAND。YMTC的CEO楊士寧7日作主旨演講,介紹新產(chǎn)品。 中國(guó)產(chǎn)NAND將提高產(chǎn)量 報(bào)道稱,YMTC此次公開的NAND當(dāng)中,32層產(chǎn)品將于下半年進(jìn)入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為,企業(yè)技術(shù)水平上,韓國(guó)比中國(guó)領(lǐng)先3年。 報(bào)道稱,YMTC透露,新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)Xtacking,有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。 |