一般情況下，如果是一個(gè)超寬帶增透膜，就增透效果來(lái)說(shuō)，最好的低折射率材料MgF2，但是關(guān)于MgF2的鍍膜，溫度基本上要300攝氏度左右最佳，參考資料是不能加離子源，300攝氏度鍍膜抽真空時(shí)間會(huì)變得較長(zhǎng)，且如果高折射率材料是Ta2O5的話，對(duì)于使用電子槍蒸發(fā)而言，必須進(jìn)行離子源輔助才會(huì)得到基本無(wú)吸收薄膜，如果高折射率材料是Ti3O5的話，300攝氏度可能會(huì)有結(jié)晶，吸收也有可能會(huì)增加。這就跟MgF2的鍍膜產(chǎn)生了沖突，我曾經(jīng)進(jìn)行過(guò)加APS源嘗試，但無(wú)論怎么改變?cè)吹?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=參數(shù)',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">參數(shù)，還是避免不了吸收，我想看看大家是怎么做的，希望能得到一個(gè)最佳的做法。
