傳統(tǒng)的芯片面臨挑戰(zhàn)，不過在量子計算和類腦計算獲得長足發(fā)展之前，芯片算力的提升依舊依靠現(xiàn)有技術(shù)的提升和創(chuàng)新。存內(nèi)計算芯片在AI時代中也獲得了不少關(guān)注，不過普渡大學的工程師開發(fā)的方法是從材料的角度進行創(chuàng)新，實現(xiàn)了芯片在計算的同時也可以存儲。研究人員稱，未來如果這種芯片的進一步改進將有利于類腦計算的發(fā)展。 FV 0x/)<z  
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計算機芯片使用兩個不同的組件來處理和存儲信息。如果工程師可以將兩種組件組合成一個或彼此相鄰放置，那么芯片上將有更多的空間，從芯片速度更快，性能更強大。 @zQ.d{  
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普渡大學（Purdue University）的工程師已經(jīng)開發(fā)出一種方法，將用于處理信息的數(shù)百萬個微型開關(guān)（通常稱為晶體管）也能在芯片上進行信息的存儲。 B
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這種方法在《自然電子》上發(fā)表的一篇論文中進行了詳細介紹，它通過解決另一個問題來實現(xiàn)這一目標：將晶體管與比大多數(shù)計算機中使用的性能更高的存儲技術(shù)相結(jié)合，稱為鐵電性RAM。 tz6N,4J?  
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研究人員數(shù)十年來一直試圖將兩者整合在一起，但問題在于鐵電材料和硅（構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體材料）之間的界面。另外，鐵電RAM作為片上的獨立單元運行，從而限制了其大幅提升計算效率的潛力。 6I<^wS9j_  

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由普渡大學電氣與計算機工程教授Peide Ye，Richard J.和Mary Jo Schwartz帶領(lǐng)的團隊發(fā)現(xiàn)了如何克服硅與鐵電材料之間致命的敵對關(guān)系的方法。 D  ,U#z  
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“我們使用了具有鐵電特性的半導(dǎo)體。兩種材料就變成一種材料，這樣就不必擔心接口問題。” Ye說。 ZyJ-}[z  
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結(jié)果就成為了所謂的鐵電半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，其構(gòu)建方式與當前計算機芯片上使用的晶體管相同。 )R+26wZ|n*  
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α硒化銦材料不僅具有鐵電性能，而且還解決了“ 禁帶寬度 ” 通常充當絕緣體而不是半導(dǎo)體常規(guī)鐵電材料的問題，這意味著電流無法通過并且沒有計算發(fā)生。 +o