近日，由南京大學(xué)物理學(xué)院高力波教授團隊領(lǐng)銜，協(xié)同學(xué)院四個青年學(xué)者團隊，以“質(zhì)子輔助生長超平整石墨烯薄膜”為題，在《自然》雜志上發(fā)表了將質(zhì)子輔助生長用于高質(zhì)量石墨烯制備的研究成果。這項工作，不僅探索出了一種可控生長超平整石墨烯薄膜的方法，更為重要的是，該團隊還發(fā)現(xiàn)了這種生長方法的內(nèi)在機制，即質(zhì)子輔助，這種方法有望推廣到柔性電子學(xué)、高頻晶體管等更多重要的研究領(lǐng)域。 ZFRKh:|  
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據(jù)悉，該成果所涉及的化學(xué)氣相沉積方法（CVD）生長石墨烯，是目前制備大面積、高品質(zhì)單晶晶�；蛘弑∧さ淖钪饕�方法。然而，由于石墨烯與基質(zhì)材料能夠產(chǎn)生強耦合作用，使得石墨烯在生長過程中會形成褶皺。這一現(xiàn)象嚴重限制了大尺度均一薄膜的制備，阻礙著二維材料的進一步發(fā)展應(yīng)用。 iw#luHc
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“CVD石墨烯中的褶皺是影響其物性的重要瓶頸。”高力波告訴記者，CVD石墨烯中的褶皺，來源于石墨烯與生長基體的熱脹率差異，石墨烯生長于銅或者鉑等生長基體，生長溫度多在600度以上，生長完成后降至室溫便引起石墨烯的褶皺。褶皺的存在，會影響石墨烯的優(yōu)良特性，然而，究竟在多大程度上能夠影響其性能，并沒有完整的對比數(shù)據(jù)。“如何徹底地消除褶皺，并制備出超平整的石墨烯薄膜，逐漸成為其品質(zhì)跨越式提升的重點和難點�！备吡Σㄕf道。 'C[gcp  
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