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新金屬芯片能提高存儲(chǔ)速度百倍

發(fā)布:cyqdesign 2020-07-02 22:03 閱讀:5314
近日,據(jù)英國《自然·物理學(xué)》雜志發(fā)表的一項(xiàng)研究,一個(gè)美國聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)利用層狀二碲化鎢制成了二維(2D)金屬芯片,其厚度僅三個(gè)原子!在更節(jié)能的同時(shí),儲(chǔ)存速度提高了100倍之多,為開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)材料奠定了基礎(chǔ)。 ng ZkBX  
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當(dāng)今世界所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)比以往任何時(shí)候都多,然而我們當(dāng)前的存儲(chǔ)系統(tǒng)已接近大小和密度的極限,因此迫切需要相關(guān)技術(shù)革命?茖W(xué)家正在研究數(shù)據(jù)的其他保存形式,包括存儲(chǔ)在激光蝕刻的載玻片、冰冷分子、單個(gè)氫原子、全息膠片甚至DNA上。 ..ig jc#UF  
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