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我國半導體抗光腐蝕研究獲得新進展

發(fā)布:cyqdesign 2020-09-28 08:40 閱讀:3881
近日,從內(nèi)蒙古大學獲悉,該校王蕾研究員帶領(lǐng)的科研團隊在半導體光腐蝕研究方面取得新進展,得到國家自然科學基金等多個項目的認可支持!扳g化層助力BiVO4抗光腐蝕研究”的相關(guān)成果已于近日在國際化學期刊《德國應(yīng)用化學》發(fā)表,將有助于提高太陽能制氫的光電轉(zhuǎn)換效率。 uP* kvi:e  
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王蕾研究員介紹,新型潔凈能源氫能素來是新能源的研究熱點,光解水制氫是獲得氫能的主要技術(shù)之一,而太陽能制氫轉(zhuǎn)換效率是光解水主要性能指標。半導體較低的光吸收率和較高的載流子復(fù)合率是影響轉(zhuǎn)換效率的首要因素,因此,如何提高光電轉(zhuǎn)換效率是當前光電催化研究領(lǐng)域的重中之重。 bh@Ct