|
|
教程565（1.0） bIBF2m4 Hi K+}?I 1.模擬任務(wù) L7rr/D
fuA]
y4A 本教程將介紹設(shè)計(jì)和分析生成Top Hat圖案的折射率調(diào)制擴(kuò)散器圖層。 sRcd{)|Cq 設(shè)計(jì)包括兩個(gè)步驟： +0 ukLc@ - 設(shè)計(jì)相位函數(shù)來(lái)生成一個(gè)角譜Top Hat分布。 A#I&&qZ - 基于相位調(diào)制來(lái)計(jì)算對(duì)應(yīng)的折射率調(diào)制。 Wll0mtv 設(shè)計(jì)相位函數(shù)是基于案例DO.002。在開(kāi)始設(shè)計(jì)一個(gè)梯度折射率擴(kuò)散器之前，我們迫切地推薦您先閱讀這個(gè)案例。 iY@}Q " ;7qzQ{Km aDX& j2/ 照明光束參數(shù) LNk :PD0m
!F}GSDDV*
Q!IqvmO
波長(zhǎng)：632.8nm yxpv;v:)=
激光光束直徑（1/e2）：700um tk'&-v'h `g 1?Q4h 理想輸出場(chǎng)參數(shù) #M w70@6
7oIHp_Zq
0#Ug3_dfr
直徑：1° -WyB2$!(
分辨率：≤0.03° r>bgCQ#-n
效率：>70% 5D7 L) >
雜散光：<20% X}3?k<m
|;Jt *
_ Q/Z>w+zh# 2.設(shè)計(jì)相位函數(shù) 3*%+NQIj 6j {ynt 4|\M`T
N6_1iIM
相位的設(shè)計(jì)請(qǐng)參考會(huì)話(huà)編輯器 K9& Q@ 3V
Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和優(yōu)化文檔Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。 +[n#{;]<
設(shè)計(jì)沒(méi)有離散相位級(jí)的phase-only傳輸。 =m (u=|N3
5W fZd 3.計(jì)算GRIN擴(kuò)散器 zp f<!x ^ GRIN擴(kuò)散器應(yīng)該包含一個(gè)1mm厚度石英玻璃作為基板，和一個(gè)折射率調(diào)制的丙烯酸薄層。 FYC] ^ D 最大折射率調(diào)制為△n=+0.05。 l >
H'PP~ 最大層厚度如下： j&S.k *HV_$^)= 4.計(jì)算折射率調(diào)制 c%b|+4
}x -9+$z|K 從IFTA優(yōu)化文檔中顯示優(yōu)化的傳輸 k??C XW {y@8E>y5$ 將傳輸相位轉(zhuǎn)變?yōu)閷?shí)部，通過(guò)函數(shù)Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。 K`X'Hg#_P2 v?3xWXX, ea$. + 生成正向函數(shù)，通過(guò)Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函數(shù)。 oo]P}ra h'G _f> )G3p 乘以最大調(diào)制折射率（0.05），通過(guò)Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函數(shù)。 Xs$a^zZ
@m`H~]AU UL~~ J[1r 將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)陣列：Manipulation→Create Numerical Data Array（參見(jiàn)下一張）。 ~n0Exw( YT[=o}jS k:j?8o3
"BpDlTYM
數(shù)據(jù)陣列可用于存儲(chǔ)折射率調(diào)制。 5HbJE'
選擇在下一個(gè)對(duì)話(huà)框中將實(shí)部轉(zhuǎn)化為一個(gè)數(shù)據(jù)陣列圖。 #] Do_Z
插值應(yīng)該設(shè)置為Nearest Neighbor來(lái)得到一個(gè)像素化折射率調(diào)制。 _M;{}!Gc&A
A
-8]4p::
5.X/Y采樣介質(zhì) }NV<k >N`,
3;Z  FoYs <aER
$OGMw+$C ^
基材丙烯酸的離散數(shù)據(jù)應(yīng)該從miscellaneous材料目錄中加載。 eo!+UFZbY
折射率調(diào)制的數(shù)據(jù)陣列必須設(shè)置到介質(zhì)中。 l_2l/ff9
應(yīng)該選擇像素化折射率調(diào)制。 ^pfM/LQ@
SZ4@GK
XCn;<$3w
優(yōu)化的GRIN介質(zhì)是周期性結(jié)構(gòu)。 :m'(8s8
只優(yōu)化和指定一個(gè)單周期。 q~AvxO
介質(zhì)必須切換到周期模式。周期是 }VH2G94 Ll
1.20764μm×1.20764μm。 0T$
|
