12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。 <t,x RBk  
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據(jù)韓聯(lián)社12月7日報道，SK海力士介紹，第三代4D NAND閃存達(dá)到業(yè)界最高水平，比上一代128層產(chǎn)品提高了35%以上生產(chǎn)率，增強(qiáng)了產(chǎn)品成本競爭力。另外，SK海力士新產(chǎn)品的讀取速度比上一代加快20%，數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到每秒1.6Gb，提高了33%。 Fx+*S3==%e  
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