PC基底硬化后進行冷鍍ITO和AR膜，905nm增透，后工序100℃烘烤2h后ITO和AR（SiO2和TiO2）膜均出現(xiàn)了開裂。 xp{tw$  
請教下各位大佬，如何進行工藝改善？

路過的大佬請指導一下，謝謝

你設備有鹵素燈加熱嗎？PC鍍膜最好用鹵素燈加熱

膜裂原因有很多。 77Dn97l)&  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。 ZECfR>`x  
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PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。
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另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。 })%{AfDRF  
但是離子源會造成溫度升高，所以要注意條件。 ]f_p8?j"  
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實驗要多做，各種條件都做一下。 @yYkti;4-  
具體情況具體分析，有時候設備不好也會造成問題的。 W=?<<dVYD  
并不是所有問題都可以用工藝解決的。

ouyuu:膜裂原因有很多。 rm_Nn8p,  
有些是溫度的影響，有些是吸水的影響。
PC上鍍膜最好鍍一個打底層，如SIO2或者AL2O3打底，對膜裂會有很大的改善。 &^nGtW%a 9  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜，也會對吸水造成的膜裂會有改善。 dh\P4  
....... (2021-01-16 17:25)  ,zc(t<|-y  

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多謝專家的指導，我們再驗證一下！ X8\GzNE~R  
另外請問專家有沒有硬化液推薦的，PC硬化后再鍍膜的方案我們也想驗證一下。 <VE@DBWyl~  
謝謝！

PC鍍膜的要注意以下幾點： pCG}ZKa  
1. 打底層最好用TiO2，厚度要＞10nm，不要用SiO2和Al2O3打底，效果不好，百格易NG； Gw` L"  
2. 機器不要加熱，離子源的能量要設計成一個漸變的過程，一般我的經驗是：前2層的離子源能量是后面層的80%；