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在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項目的基本程序： Lr(My3vF8q • 生成材料 2-@z-XKn • 插入波導和輸入平面 Q\*zF,ek • 編輯波導和輸入平面的參數 6LzN#g • 運行仿真 2< uBC • 選擇輸出數據文件 M4L<u,\1s • 運行仿真 VO7&<Y}{x • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結果和各種數值工具 %u*H No O
_^Y*! 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎上，對仿真過程進行了簡化描述。如果需要更多細節(jié)信息，可參閱之前課程中提供的操作。 eOUEhpE XlxM.;i0H 本課程描述了如何創(chuàng)建一個MMI星型耦合器。該星型耦合器是對簡單MMI耦合器(教程2：創(chuàng)建一個簡單多模干涉星型（下文簡稱為MMI）耦合器)的進一步改進。它是由一個輸入波導、一個MMI耦合器以及四個輸出波導組成。步驟如下： >u?a#5R:m • 定義MMI星型耦合器的材料 U %aDkC+M • 定義布局設置 j
k/-7/r • 創(chuàng)建MMI星形耦合器 V`"Cd?R0 Z • 運行模擬 xc1-( $Q, • 查看最大值 b'(Hwc\ t • 繪制輸出波導 `s_k+ g • 為輸出波導分配路徑 c/-PEsk_TP • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結果 1,pPLc( • 添加輸出波導并查看新的仿真結果 qGECw# • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結果 }?,Eb~q 1. 定義MMI星型耦合器的材料 Lz`_&&6 要定義單向彎曲器件的材料，請執(zhí)行以下步驟。 E.^F:$2 步驟 操作 NV;T*I8O 1) 創(chuàng)建一個介電材料： Y]+KsiOL 名稱：guide &nwk]+,0W# 相對折射率(Re)：3.3 x UT lM 2) 創(chuàng)建第二個介電材料 VI8/@A1Gv 名稱： cladding O+ J0X*&x 相對折射率(Re)：3.27 5DVSaI$ = 3) 點擊保存來存儲材料 <d$t*vnq 4) 創(chuàng)建以下通道： c- "# 名稱：channel 4si q 二維剖面定義材料: guide o(oD8Ni 5 點擊保存來存儲材料。 8
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