近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀(jì)錄的低光學(xué)損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。 l]]l  
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光子芯片奮起直追，也許能幫助人們突破摩爾定律開辟新的“賽道”。 oQL59XOT4  
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低光學(xué)損耗新紀(jì)錄 bTSL<"(]N  
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光子芯片通常由硅制成，硅在地殼中含量豐富且具有良好的光學(xué)特性，但難以滿足集成光子芯片所需的一切條件，因此出現(xiàn)了諸多新材料平臺(tái)，如氮化硅、二氧化硅、氮化鋁、鈮酸鋰、碳化硅等。 g5q$A9.Jl  
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Tobias Kippenberg團(tuán)隊(duì)用一種氮化硅光子大馬士革工藝（光子鑲嵌工藝）技術(shù)。大馬士革工藝是一種非常古老的工藝，最早可以追溯到阿拉伯人對(duì)他們的武器和裝飾上面做顏色的鑲嵌和繪圖。這個(gè)工藝要先做出圖形輪廓，然后把顏色材料鑲嵌到輪廓中再進(jìn)行拋光，這樣就得一個(gè)色彩艷麗的圖案。 )aX2jSp  
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“大馬士革工藝思路曾被用在早期以銅為材料的電子電路制造上，研究當(dāng)中，我們把氮化硅大馬士革工藝用到集成光路制造上，得到了極低的光損耗。”論文第一作者、EPFL微納技術(shù)中心博士劉駿秋告訴《中國(guó)科學(xué)報(bào)》，“利用這一技術(shù)，我們制造了光損耗僅為1 dB / m的集成光路，創(chuàng)下了所有非線性光子集成材料的記錄�！� s-ZI ^I2\  
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使用這項(xiàng)新技術(shù)，研究人員在5平方毫米的芯片上制備了高品質(zhì)因數(shù)的微諧振器上和超過一米長(zhǎng)的波導(dǎo)。他們還報(bào)告了九成的制造良品率，這對(duì)于將來擴(kuò)大工業(yè)生產(chǎn)規(guī)模至關(guān)重要。 rP(eva  
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“超低損耗的氮化硅集成光子芯片對(duì)未來通訊、計(jì)算和6G技術(shù)都至關(guān)重要。這種類型的光子芯片可以將信息編碼進(jìn)光，再通過光纖傳輸，并成為光通信的一個(gè)核心組成部分�！眲ⅡE秋說。 b,IocD6v;P