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- 注冊時間2020-06-19
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本案例展示的是一個一維模型的薄膜太陽能電池示例。它包括一個附加銀層和透明邊界條件的兩個設(shè)置，而不是完美的電導體邊界條件進行比較。腳本data_analysis / run_comparison_1D.M對這兩種設(shè)置執(zhí)行波長掃描，并將結(jié)果可視化，就像薄膜太陽能電池的例子一樣。此外，它在下圖底部所示的半對數(shù)圖中顯示了兩種設(shè)置的節(jié)能誤差。 \(pwHNSafk cjL)M=pIS 一維系統(tǒng)的幾何定義和網(wǎng)格劃分 t}k:wzZ@
v's1 &%sM 雖然光源、材料和項目設(shè)置與2D模型非常相似，但幾何定義和網(wǎng)格參數(shù)的layout.jcm(布局文件)略有不同 dE"_gwtX ! Wr<T!T 與2D和3D幾何定義相比，在1D設(shè)置中使用關(guān)鍵字Layout1D而不是Layout。 上面所示的文件使用了完美的電導體邊界條件，通過為邊界類權(quán)分配一個域邊界。 關(guān)于透明邊界設(shè)置和Layout1D的更多信息可以在參數(shù)參考中找到。 UE^o}Eyg inU5eronuj
vSHPN|* QQ：2987619807 O4X03fUx
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