3W#E$^G_v 介紹 8)pL0bg L ;{{P7 ]F>#0R dc 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
H`URJ8k$Q 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
VGxab;#,:3 錐形耦合器實際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
Ki Kw,@ 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
9(z ) ^ G 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為
光學(xué)緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
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