近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院任天令教授團(tuán)隊(duì)在小尺寸晶體管研究方面取得重大突破，首次實(shí)現(xiàn)了具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的晶體管，并具有良好的電學(xué)性能。 s_;o1 K0  
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過去幾十年晶體管的柵極尺寸在摩爾定律的推動(dòng)下不斷微縮，然而近年來，隨著晶體管的物理尺寸進(jìn)入納米尺度，造成電子遷移率降低、漏電流增大、靜態(tài)功耗增大等短溝道效應(yīng)越來越嚴(yán)重，這使得新結(jié)構(gòu)和新材料的開發(fā)迫在眉睫。 Xp+lpVcJ  
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清華大學(xué)集成電路學(xué)院消息顯示，研究發(fā)現(xiàn)，由于單層二維二硫化鉬薄膜相較于體硅材料具有更大的有效電子質(zhì)量和更低的介電常數(shù)，在超窄亞1納米物理柵長(zhǎng)控制下，晶體管能有效的開啟、關(guān)閉，其關(guān)態(tài)電流在pA量級(jí)，開關(guān)比可達(dá)105，亞閾值擺幅約117mV/dec。大量、多組實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)結(jié)果也驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)下的大規(guī)模應(yīng)用潛力。基于工藝計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（TCAD）的仿真結(jié)果進(jìn)一步表明了石墨烯邊緣電場(chǎng)對(duì)垂直二硫化鉬溝道的有效調(diào)控，預(yù)測(cè)了在同時(shí)縮短溝道長(zhǎng)度條件下，晶體管的電學(xué)性能情況。這項(xiàng)工作推動(dòng)了摩爾定律進(jìn)一步發(fā)展到亞1納米級(jí)別，同時(shí)為二維薄膜在未來集成電路的應(yīng)用提供了參考依據(jù)。 h+R26lI1x  
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上述相關(guān)成果以“具有亞1納米柵極長(zhǎng)度的垂直硫化鉬晶體管”為題，于3月10日在線發(fā)表在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《自然》上。