近期，上海光機所微納光電子功能材料實驗室王俊研究員團隊在InSe納米片薄膜的微區(qū)非線性光學和寬帶超快載流子動力學研究方面取得進展，揭示了InSe在超快光電子器件上的應用潛力。相關(guān)成果以“Microscopic optical nonlinearities and transient carrier dynamics in indium selenide nanosheet”為題發(fā)表于Optics Express上。  y'Xg"  
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對于材料本征光學特性的研究及其進一步調(diào)控，是實現(xiàn)材料應用的基礎(chǔ)，也具有非常重要的地位和作用。研究人員采用機械剝離方法獲得了一系列不同厚度的InSe納米片薄膜，利用自行搭建的微區(qū)Z/I-scan裝置，系統(tǒng)研究了InSe納米片薄膜在可見光、近紅外光激發(fā)下的非線性光學及寬譜超快載流子動力學特性。研究發(fā)現(xiàn)，在520 nm和1040 nm飛秒脈沖激發(fā)下，InSe均表現(xiàn)為雙光子吸收（two-photon absorption，TPA）效應，隨著薄膜厚度增加雙光子吸收效應逐漸減弱。相同厚度的InSe薄膜，相比于近紅外1040 nm激光，在520 nm激發(fā)下的雙光子吸收系數(shù)要大兩個數(shù)量級，而雙光子吸收飽和強度Is,520 nm則比Is,1040 nm小一個數(shù)量級，表明InSe薄膜在可見光范圍內(nèi)更容易達到雙光子吸收飽和。微區(qū)瞬態(tài)吸收光譜技術(shù)表明，InSe薄膜在可見光范圍有一個從光誘導吸收到光漂白的超快轉(zhuǎn)變和一個快速弛豫過程。 kF~}htv.=  
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