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在本示例中，模擬了衰減相移掩模。 該掩模將線/空間圖案成像到光刻膠中。 掩模的單元格如下圖所示： F&
I ;E i  
Q4JvFy0'  
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s*0PJ\E2  
掩模的基板被具有兩個(gè)開(kāi)口的吸收材料所覆蓋。在其中一個(gè)開(kāi)口的下方，位于相移區(qū)域。 /2\%X`]<  
zz+p6`   
由于這個(gè)例子是所謂的一維掩模(線/空間模式)，在xy平面中有一個(gè)2D仿真域。在源文件中設(shè)置3DTo2D = yes標(biāo)簽，以執(zhí)行用戶自定義傳入方向的自動(dòng)轉(zhuǎn)換。啟用此標(biāo)記后，就可以描述傳入?yún)^(qū)域，就好像光軸與Z軸重合一樣。這允許統(tǒng)一設(shè)置2D和3D的掩模模擬項(xiàng)目。由于光線從基板下方進(jìn)入，光線的傳輸方向?yàn)?Z方向。 / NlT[@T  
yHL5gz@k  
相位分布如下圖所示： A+Xk=k5<  
*1[v08?!  
L9=D,C~  
T]fu[yRVvg  
相移區(qū)域的影響清晰可見(jiàn)，導(dǎo)致開(kāi)口上方光束的180度相位差。同時(shí)光場(chǎng)的S和P分量也顯示出相位差：  MXj7Z3  
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