中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)王亮教授和韓正甫教授課題組研發(fā)的InGaAs單行載流子探測(cè)器芯片取得重大進(jìn)展。該研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)設(shè)計(jì)優(yōu)化表面等離激元結(jié)構(gòu)，開發(fā)成功低暗計(jì)數(shù)、高響應(yīng)度、高帶寬的單行載流子探測(cè)器芯片，為近紅外探測(cè)器性能提升提供了開創(chuàng)性的方法，相關(guān)研究成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni-Traveling-Carrier Photodiode”為題，發(fā)表在電子工程技術(shù)領(lǐng)域的知名期刊ACS Applied Electrical上。 '
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基于等離基元結(jié)構(gòu)的InGaAs材料的單行載流子探測(cè)器芯片具有極高帶寬，低暗電流和高響應(yīng)度，為近紅外高速垂直光電二極管的設(shè)計(jì)提供了一種新型的方法。為應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的光接收模塊提供了核心芯片，突破未來(lái)更高速光模塊開發(fā)的關(guān)鍵硬件技術(shù)壁壘 d+Ds9(gV  
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王亮教授研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)調(diào)整MOCVD的溫度、V/III比、摻雜濃度等生長(zhǎng)參數(shù)實(shí)現(xiàn)低缺陷密度和高摻雜精度的外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)。在單行載流子器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上提出并設(shè)計(jì)了新型的表面等離激元增強(qiáng)單行載流子探測(cè)器，利用光在金屬表面的局域表面等離激元效應(yīng)，增強(qiáng)吸收區(qū)對(duì)于光信號(hào)的吸收。研究團(tuán)隊(duì)的所制造的器件具有0.12A/W的高響應(yīng)度，在-3 V偏壓下具有2.52 nA的暗電流，當(dāng)芯片結(jié)區(qū)面積小于100 μm2時(shí)3dB帶寬超過(guò)40 GHz。相比于同類器件，響應(yīng)度增強(qiáng)了147%，具備更高的信噪比，為高速光互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)提供優(yōu)質(zhì)國(guó)產(chǎn)化芯片。 K?[)E3  
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