羅姆開發(fā)出功耗降低20%的小型晶體管
據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞,羅姆現(xiàn)開發(fā)出了一種電力損耗比此前減少2成的小型晶體管“MOSFET”。
與傳統(tǒng)晶體管相比,這種小型晶體管采用了獨創(chuàng)的TDACC電路設(shè)計技術(shù),功率損耗減少了20%。據(jù)了解,這種半導(dǎo)體即使總長度只有1毫米也能夠高效地切換電流的開閉,預(yù)計用于無線 耳機(jī)和手表終端等可穿戴設(shè)備,該公司最初將每月生產(chǎn)1000萬臺。 據(jù)說,MOSFET尺寸接近最小尺寸,長1毫米,寬0.6毫米,主要用于在可穿戴設(shè)備等的內(nèi)部切換電子零部件和傳感器類所需電力的開關(guān)。 與相同尺寸的一般產(chǎn)品相比,MOSFET使用時的電力損耗減少20%。晶體管難以同時降低“導(dǎo)通電阻”和“開關(guān)損耗”,但羅姆利用大規(guī)模集成電路(LSI)技術(shù)成功兼顧。硅基板不用樹脂覆蓋,而是涂覆自主絕緣膜,實現(xiàn)了小型化。 官方指出,此次的晶體管如果用于耳機(jī)可在每個產(chǎn)品中使用2~4 個,也可藉此大幅減少電子電路占用的空間。 關(guān)鍵詞: 晶體管
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