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我公司晶控儀里有一個最大功率延遲時間,在材料第4頁。 ZO;]Zt]
它有兩個作用, )b-G2< kb
一是成膜開始后,在此時間內,實際最大功率從預熔功率線性變化到設定的最大功率。抑制速率過沖用。 t6"4+:c!>
二是成膜開始后,在此時間內,如果有負速率,則丟棄因此產生的負厚度。正?瓷先ハ窈穸惹辶恪T谂渲脜道镌O置此功能是否使用。用于部分補償溫度等效應引起的厚度偏差。 在有離子源輔助時會發(fā)現作用明顯,厚度一致性會提高。(這個丟棄的負厚度累積值作為內部過程參數會出現在 探頭與接口界面,每層重新累積。在我公司 MXC-3 晶控儀里,可以在未關機的情況下,編程發(fā)串口指令讀取一定層數的負厚度記錄,僅作為當時研究之用,沒有對外公布指令,有興趣的可以聯(lián)系)。 XSxya.1
另外,如果我公司晶控儀設置成計算機控制,其將作為單層膜控制器使用,材料1的參數成為開機默認材料參數。 4({=(O
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但這是客戶計算機上的設置,內部什么操作,我并不清楚。