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01 說明 -xw98 y+?=E g 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對(duì)有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)(如電容、有效折射率擾動(dòng)和損耗等),并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型,然后將其表征到INTERCONNECT的測(cè)試電路中實(shí)現(xiàn),模擬反向偏置電壓對(duì)電路中信號(hào)相移的影響。 u\M4`p!g= 3\7'm] "!xvpsy "|F.'qZrm 02 綜述 8n;kK? ok%EqO ;0;3BH A ==nYe{2 這里假設(shè)移相器的結(jié)構(gòu)沿光傳播方向是均勻的,因此僅模擬器件的橫截面。我們將演示每個(gè)部分的仿真及結(jié)果。 s`;0
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