麻省理工學(xué)院的研究人員開發(fā)了一種突破性的技術(shù)，可以在完全制造的硅芯片上直接生長(zhǎng)二維過渡金屬二氯化物（TMD）材料，從而實(shí)現(xiàn)更密集的集成。傳統(tǒng)的方法需要大約600℃的溫度，這可能會(huì)損壞硅晶體管和電路，因?yàn)樗鼈冊(cè)?00℃以上就會(huì)分解。 1'Kn:I  
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麻省理工學(xué)院的團(tuán)隊(duì)克服了這一挑戰(zhàn)，創(chuàng)造了一種低溫生長(zhǎng)工藝，保留了芯片的完整性，使二維半導(dǎo)體晶體管可以直接集成在標(biāo)準(zhǔn)硅電路之上。 !7Ta Vx}`(  
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