300mm大硅片是集成電路制造不可或缺的基礎(chǔ)材料，對集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起著關(guān)鍵支撐作用。針對集成電路制造行業(yè)對低氧高阻、近零缺陷等硅片產(chǎn)品的迫切需求，亟需解決大直徑、高質(zhì)量硅單晶晶體生長技術(shù)中的氧雜質(zhì)輸運(yùn)、晶體缺陷調(diào)控等基礎(chǔ)科學(xué)問題，進(jìn)而開發(fā)大直徑單晶晶體生長技術(shù)，實(shí)現(xiàn)特定的晶體雜質(zhì)、缺陷的人工調(diào)控，滿足射頻、存儲(chǔ)等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。 = 1|"-  
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近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所研究員魏星團(tuán)隊(duì)在300mm晶體生長的數(shù)值模擬研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了耦合橫向磁場的三維晶體生長傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應(yīng)電流對硅熔體內(nèi)對流和傳熱傳質(zhì)的影響機(jī)制。相關(guān)研究成果以Effects of induced current in crystal on melt flow and melt-crystal interface during industrial 300 mm Czochralski silicon crystal growth with transverse magnetic field為題，發(fā)表在《晶體生長與設(shè)計(jì)》（Crystal growth & design）上。 #a~"K|'G