硅光子學近年來已成為許多應用領域的關鍵使能技術，這要歸功于成熟的硅工藝技術、大硅片尺寸和硅光學特性。然而，硅基材料無法有效發(fā)光，需要使用其他半導體作為光源。 $-$5ta{s  
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III-V族半導體，即由元素周期表中III族和V族元素制成的材料是最有效的半導體激光源。幾十年來，它們在硅光子集成電路（PIC）上的單片集成一直被認為是實現(xiàn)完全集成、密集的硅光子芯片的主要挑戰(zhàn)。盡管最近取得了進展，但迄今為止，無論波長和激光技術如何，都只報道了在裸硅晶圓上生長的分立III-V激光器。 Lf^5Eo/ 5A  
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在《光科學與應用》（Light Science & Application）雜志上發(fā)表的一篇新論文中，由法國蒙彼利埃大學Eric Tournié教授領導的一個歐洲科學家團隊現(xiàn)已解鎖了半導體激光器與硅光子學的高效集成芯片和光耦合到無源光子器件中。 YER:ICQ