鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
$|7"9W}m* 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
pzRVX8 cWnEp';. 9=}#.W3. r2f%E:-0G lFuW8G,-f@ yE
N3/-S+ 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
Pjq9BK9p 鍍膜下機確認無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。