鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無(wú)IAD,有這種現(xiàn)狀)
giI9-C 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
3mx7[Q 0hPm,H*Y] +ux,cx.U" il:+O08_ 9{+B lNZ d@C93VYp 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
RNm/&F1C$ 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無(wú)這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開(kāi)始吸附東西。