介紹 |j2b=0Rpk 0[\s z>@ 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
goa@ e 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
R%%Uw %` 錐形耦合器實際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
19#s:nt9 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
-q&K9ZCl ` 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為
光學(xué)緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
d1[;~) 
JCe%;U [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
0R21"]L_M [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
^Kbq .4 [{& GMc
3D FDTD仿真 ?:$aX@r
]S2F9 要
模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達(dá)到更快的模擬時間）
l.>3gjr 為了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo)，錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。
v~B
"Il 光源在時域中設(shè)置為CW（ = 1.55 um），在空間域上設(shè)置為高斯橫向分布，并且位于二氧化硅波導(dǎo)的硅紙尖端。
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