在本
教程項(xiàng)目中，我們計(jì)算了帶有摻雜二氧化硅芯的圓柱形
光纖的基本傳播模式。
%>K(IR pMW I e!KIU 磁芯具有相對介電常數(shù)
ϵcore=2.113和直徑
dcore=8.2μm。包層具有相對介電常數(shù)
ϵcladding=2.1025和直徑
dcladding=80μm。我們假定磁場的切向分量在外邊界上消失。我們想在1.5附近找到兩個本征模，這是我們對有效
折射率的最初猜測�；臼纠齪ropagation Mode中給出了輸入
文件所需
參數(shù)的詳細(xì)描述。
ZvuY] =^3 ky !Z JR 下圖顯示了兩個計(jì)算本征模的電場的z分量(對數(shù)尺度下)。兩者都屬于相同的有效折射率，屬于雙重簡并。特征值存儲在文件eigenvalues.jcm中。
]Z[3 \~? . x$V~t 6%EpF;T`
之后彎曲單模光纖教程會說明如何計(jì)算彎曲單模光纖的基本傳播模式。
