對于大工作電流的功率型LED芯片,低熱阻、散熱良好及低應力的新的封裝結構是功率型LED器件的技術關鍵?刹捎玫妥杪、高導熱性能的材料粘結芯片;在芯片下部加銅或鋁質(zhì)基板熱沉,并采用半包封結構,加速散熱;甚至設計二次散熱裝置,來降低器件的熱阻。在器件的內(nèi)部,填充透明度高的柔性硅橡膠,在硅橡膠承受的溫度范圍內(nèi)(一般為-40℃~200℃),膠體不會因溫度驟然變化而導致器件開路,也不會出現(xiàn)變黃現(xiàn)象。零件材料也應充分考慮其導熱、散熱特性,以獲得良好的整體熱特性。