氧化銦錫(ITO)基板前處理 `m
I5Z*]-  
<CJy3<$u  
(1)ITO表面平整度 HO_(it \  
ITO目前已廣泛應(yīng)用在商業(yè)化的顯示器面板制造，其具有高透射率、低電阻率及高功函數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。一般而言，利用射頻濺鍍法(RF sputtering)所制造的ITO，易受工藝控制因素不良而導(dǎo)致表面不平整，進(jìn)而產(chǎn)生表面的尖端物質(zhì)或突起物。另外高溫鍛燒及再結(jié)晶的過程亦會(huì)產(chǎn)生表面約10 ~ 30nm的突起層。這些不平整層的細(xì)粒之間所形成的路徑會(huì)提供空穴直接射向陰極的機(jī)會(huì)，而這些錯(cuò)綜復(fù)雜的路徑會(huì)使漏電流增加。一般有三個(gè)方法可以解決這表面層的影響? .LDp.#d9r1  
Q^=0p0  
一是增加空穴注入層及空穴傳輸層的厚度以降低漏電流，此方法多用于PLED及空穴層較厚的OLED(~200nm)。 Kv:Rvo  
>y,. `ECn  
二是將ITO玻璃再處理，使表面光滑。 hrO9_B|#  
!Eb|AHa  
三是使用其它鍍膜方法使表面平整度更好。 FA\U4l-
 
@nMVs6  
(2) ITO功函數(shù)的增加 ;;m;f^]}  
當(dāng)空穴由ITO注入HIL時(shí)，過大的位能差會(huì)產(chǎn)生蕭基能障，使得空穴不易注入，因此如何降低ITO / HIL接口的位能差則成為ITO前處理的重點(diǎn)。一般我們使用O2-Plasma方式增加ITO中氧原子的飽和度，以達(dá)到增加功函數(shù)之目的。ITO經(jīng)O2-Plasma處理后功函數(shù)可由原先之4.8eV提升至5.2eV，與HIL的功函數(shù)已非常接近。 uJlW$Oc:.