作者：浙江大學(xué) 蘇達(dá) 王德苗 9[E$>o"%  
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摘要：如何提高大功率發(fā)光二極管(Li t Emitting Diode，簡稱LED)的散熱能力，是LED器件封裝和器件應(yīng)用設(shè)計(jì)要解決的核心問題。詳細(xì)分析了國內(nèi)外大功率LED散熱封裝技術(shù)的研究現(xiàn)狀；總結(jié)了其發(fā)展趨勢，并指出了減少內(nèi)部熱沉可能是今后的發(fā)展方向。 >%dAqYi $  
關(guān)鍵詞：電力半導(dǎo)體器件；發(fā)光二極管；光電元件；散熱；封裝 B1#>$"_0}=  
1 引 言 K0=E4>z,`q  
　　發(fā)光二極管(LED)誕生至今．已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了全彩化和高亮度化，并在藍(lán)光LED和紫光LED的基礎(chǔ)上開發(fā)了白光LED．它為人類照明史又帶來了一次飛躍。與自熾燈和熒光燈相比，LED以其體積小，全固態(tài)，長壽命，環(huán)保，省電等一系列優(yōu)點(diǎn)，已廣泛用于汽車照明、裝飾照明、手機(jī)閃光燈、大中尺寸，即NB和LCD．TV等顯示屏光源模塊中。已經(jīng)成為2l世紀(jì)最具發(fā)展前景的高技術(shù)領(lǐng)域之一LED是一種注入電致發(fā)光器件．由Ⅲ～Ⅳ 族化合物，如磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)等半導(dǎo)體制成 在~I-DN電場作用下．電子與空穴的輻射復(fù)合而發(fā)生的電致作用將一部分能量轉(zhuǎn)化為光能． 即量子效應(yīng)，而無輻射復(fù)合產(chǎn)生的晶格振蕩將其余的能量轉(zhuǎn)化為熱能。目前，高亮度白光LED在實(shí)驗(yàn)室中已經(jīng)達(dá)到1001m／W 的水平，501m／w 的大功率白光LED也已進(jìn)入商業(yè)化，單個(gè)LED器件也從起初的幾毫瓦一躍達(dá)到了1．5kW。對(duì)大于1W 級(jí)的大功率LED而言，目前的電光轉(zhuǎn)換效率約為15％，剩余的85％轉(zhuǎn)化為熱能．而芯片尺寸僅為1mm×1mm～2．5mm~2．5mm．意即芯片的功率密度很大 與傳統(tǒng)的照明器件不同，白光LED的發(fā)光光譜中不包含紅外部分．所以其熱量不能依靠輻射釋放。因此，如何提高散熱能力是大功率LED實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化亟待解決的關(guān)鍵技術(shù)難題之一l】1。 "mDrJTWa  
2 熱效應(yīng)對(duì)大功率LED的影響 &(^u19TKl  
　　對(duì)于單個(gè)LED而言．如果熱量集中在尺寸很小的芯片內(nèi)而不能有效散出．則會(huì)導(dǎo)致芯片的溫度升高．引起熱應(yīng)力的非均勻分布、芯片發(fā)光效率和熒光粉激射效率下降。研究表明，當(dāng)溫度超過一定值時(shí)．器件的失效率將呈指數(shù)規(guī)律攀升．元件溫度每上升2℃，可靠性將下降l0％l2】。為了保證器件的壽命，一般要求pn結(jié)的結(jié)溫在110℃以下。隨著pn結(jié)的溫升．白光LED器件的發(fā)光波長將發(fā)生紅移據(jù)統(tǒng)計(jì)資料表明．在100℃的溫度下．波長可以紅移4～9 nm．從而導(dǎo)致YAG熒光粉吸收率下降，總的發(fā)光強(qiáng)度會(huì)減少，白光色度變差。在室溫附近，溫度每升高l℃．LED的發(fā)光強(qiáng)度會(huì)相應(yīng)減少l％左右．當(dāng)器件從環(huán)境溫度上升到l20℃時(shí)．亮度下降多達(dá)35％。當(dāng)多個(gè)LED密集排列組成白光照明系統(tǒng)時(shí)．熱量的耗散問題更嚴(yán)重。因此解決散熱問題已成為功率型LED應(yīng)用的先決條件。 H)aC'M^
 
3 國內(nèi)外的研究進(jìn)展 ^>{;9lo<  
　　針對(duì)高功率LED的封裝散熱難題．國內(nèi)外的器件設(shè)計(jì)者和制造者分別在結(jié)構(gòu)、材料以及工藝等方面對(duì)器件的熱系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。例如。在封裝結(jié)構(gòu)上，采用大面積芯片倒裝結(jié)構(gòu)、金屬線路板結(jié)構(gòu)、導(dǎo)熱槽結(jié)構(gòu)、微流陣列結(jié)構(gòu)等；在材料的選取方面，選擇合適的基板材料和粘貼材料，用硅樹脂代替環(huán)氧樹脂。 !DL53DQ#  
　　3．1 封裝結(jié)構(gòu) `1<3Hu_  
　　為了解決高功率LED的封裝散熱難題，國際上開發(fā)了多種結(jié)構(gòu)，主要有： ?Hxgx  
　　　(1)硅基倒裝芯片(FCLED)結(jié)構(gòu) p!QneeA`&X  
　　傳統(tǒng)的LED采用正裝結(jié)構(gòu)，上面通常涂敷一層環(huán)氧樹脂．下面采用藍(lán)寶石作為襯底。由于環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱能力很差。藍(lán)寶石又是熱的不良導(dǎo)體，熱量只能靠芯片下面的引腳散出，因此前后兩方面都造成散熱困難．影響了器件的性能和可靠性。
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　　2001年．LumiLeds公司研制出了A1GaInN功率型倒裝芯片結(jié)構(gòu)。圖1示出芯片的正裝結(jié)構(gòu)和倒裝結(jié)構(gòu)對(duì)比 LED芯片通過凸點(diǎn)倒裝連接到硅基上。這樣．大功率LED產(chǎn)生的熱量不必經(jīng)由芯片的藍(lán)寶石襯底．而是直接傳到熱導(dǎo)率更高的硅或陶瓷襯底，再傳到金屬底座，由于其有源發(fā)熱區(qū)更接近于散熱體．因此可降低內(nèi)部熱沉熱阻[21。這種結(jié)構(gòu)的熱阻理論計(jì)算最低可達(dá)到1．34K／W．實(shí)際已作到6~8K／W，出光率也提高了60％左右。但是，熱阻與熱沉的厚度是成正比的．因此受硅片機(jī)械強(qiáng)度與導(dǎo)熱性能所限。很難通過減薄硅片來進(jìn)一步降低內(nèi)部熱沉的熱阻，這就制約了其傳熱性能的進(jìn)一步提高。 *js$r+4  
　　　(2)金屬線路板結(jié)構(gòu) bvS\P!m\c  
　　金屬線路板結(jié)構(gòu)利用鋁等金屬具有極佳的熱傳導(dǎo)性質(zhì)．將芯片封裝到覆有幾毫米厚的銅電極的PCB板上，或者將芯片封裝在金屬夾芯的PCB板上．然后再封裝到散熱片上，以解決LED因功率增大所帶來的散熱問題。采用該結(jié)構(gòu)能獲得良好的散熱特性，并大大提高了LED的輸入功率【3】。美國UOE公司的Norlux系列LED．將已封裝的產(chǎn)品組裝在帶有鋁夾層的金屬芯PCB板上．其中PCB板用作對(duì)LED器件進(jìn)行電極連接布線．鋁芯夾層作為熱沉散熱。圖2示出金屬線路板結(jié)構(gòu)。其缺陷在于，夾層中的PCB板是熱的不良導(dǎo)體．它會(huì)阻礙熱量的傳導(dǎo)。據(jù)研究，將OSRAM公司的Golden Dragon系列白光LED芯片LW W5SG倒裝在一塊3ram~3mm．且水平放置的金屬線路板上，在LED器件與金屬線路板之間涂敷1898In—Sil一8熱接口材料，其系統(tǒng)熱阻約為66．12K／Wt”。 .hNw1~Fj  
　　　(3)微泵浦結(jié)構(gòu) B2qq C-hw?  
　　2006年Sheng Liu等人通過在散熱器上安裝一個(gè)微泵浦系統(tǒng)，解決了LED的散熱問題，并發(fā)現(xiàn)其散熱性能優(yōu)于散熱管和散熱片。在封閉系統(tǒng)中，水在微泵浦的作用下進(jìn)入了LED的底板小槽吸熱，然后又回到小的水容器中，再通過風(fēng)扇吸熱。圖3示出這種微泵浦結(jié)構(gòu)。它能將外部熱阻降為O．192K／W．并能進(jìn)行封裝[41。這種微泵結(jié)構(gòu)的制冷性較好．但如前兩種結(jié)構(gòu)一樣，若內(nèi)部接口的熱阻很大，則其熱傳導(dǎo)就會(huì)大打折扣．而且結(jié)構(gòu)也嫌復(fù)雜。 SJ7=<y}[d  
　　3．2 封裝材料 ^GaPpm  
　　確定封裝結(jié)構(gòu)后．可通過選取不同的材料進(jìn)一步降低系統(tǒng)熱阻，提高系統(tǒng)導(dǎo)熱性能。目前，國內(nèi)外常針對(duì)基板材料、粘貼材料和封裝材料進(jìn)行擇優(yōu)。 DB'KIw  
　　　(1)基板材料 @/NZ>.  
　　對(duì)于大功率的LED而言，為了解決芯片材料與散熱材料之間因熱膨脹失配造成電極引線斷裂的問題．可選用陶瓷、Cu／Mo板和Cu／W板等合金作為散熱材料，但這些合金的生產(chǎn)成本過高，不利于大規(guī)模、低成本生產(chǎn)。選用導(dǎo)熱性能好的鋁板、銅板作為散熱基板材料是當(dāng)前的研究重點(diǎn)之一圈。 OVS
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　　　(2)粘貼材料 Mv`L