1 前言
5f^>b\8+ | ;: mu} 半導體激光器是以直接帶隙半導體材料構(gòu)成的pn結(jié)或pin結(jié)為工作物質(zhì)的一種小型化
激光器.半導體激光工作物質(zhì)有幾十種，目前已制成激光器的半導體材料有砷化稼(gaas)、砷化錮(inas)、銻化錮(insb)、硫化鍋(cds)、蹄化福(cdte)、硒化鉛(pbse)、啼化鉛(phte)、鋁稼砷(a1xga-as)、錮磷砷(in-pxas)等.
T5|c$doQ 0q,pi qjO 半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注人式、光泵式和高能電子束激勵式.
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