如果要使激光器的調(diào)制帶寬得到提高，關(guān)鍵是降低激光器的電學(xué)寄生因素的影響，尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結(jié)構(gòu)中的輸運過程。 LM!@LQAMY  
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    制造高速激光器時，要想提高器件的3db帶寬，可以采取以下措施： M%Q_;\?]  
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    ①有源區(qū)采用應(yīng)變（補償）多量子阱結(jié)構(gòu)——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應(yīng)變和垂直于阱面方向的拉伸應(yīng)變，其價帶頂?shù)闹乜昭�能級上升，而且這種價帶發(fā)生退簡并，使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零，使室溫下的俄歇復(fù)合幾率減小，從而導(dǎo)致這種量子阱激光器的閾值電流下降，線寬增強因子減小以及弛豫振蕩頻率、調(diào)制帶寬、微分增益系數(shù)顯著提高。 $^#q0Yx  
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    ②有源區(qū)p型摻雜 ——p型摻雜可減小穿過sch區(qū)域時的空穴輸運，這對高速量子阱器件是主要的限制；p型摻雜可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中載流子的分布更加均勻。 a1v?{vu\E  
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    若有源區(qū)zn摻雜濃度接近1018 cm-3時，其3db帶寬可達25ghz，而且摻雜還可使器件的振蕩頻率增加到30ghz（腔長為300μm）。此外，重摻雜還有利于降低線寬增強因子和進一步提高微分增益，這些都有利于提高器件的調(diào)制特性。 %V-Hy