在諸多光子探測器件中占據(jù)主導(dǎo)地位的是高性能半導(dǎo)體光電二極管、紅外探測器與固體成象器件。 -k + jMH  
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    (1) 半導(dǎo)體光電二極管 4?Y7.:x  
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    屬于這類器件的主要有pin型光電二極管和雪崩型光電二極管(apd)。目前以ingaas制作的pin與apd已作為高靈敏度、高響應(yīng)度的光電探測器在光纖通信、光纖傳感等領(lǐng)域廣泛使用，并占據(jù)了主導(dǎo)地位。近年來，pin器件的性能不斷提高，其脈沖響應(yīng)已達到ps量級。apd是一種具有增益能力的探測器，具有很高的靈敏度，因此更被看好�，F(xiàn)在已對各種apd結(jié)構(gòu)，如sapd、sam-apd、sagm-apd以及量子阱apd等展開了深入研究。其中sam-apd被認為是一種成功的結(jié)構(gòu)形式，sagm-apd是對sam-apd的進一步完善，并已開始實用化。量子阱apd是一種新穎結(jié)構(gòu)并具有發(fā)展前景的光電探測器，目前也已趨于實用化。 !h1:AW_iz  
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    (2) 紅外探測器 !aSj1 2J  
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    確切講，這里的紅外探測器件是指光纖通信波段(850nm～1550nm)以外的中遠紅外探測器。它們主要應(yīng)用于紅外成象、制導(dǎo)、遙感、跟蹤以及空間通信與光電對抗等技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域。已研制和開發(fā)的各種紅外探測器件，其中以hgcdte為材料的單元、多元及焦平面陣列探測器件受到廣泛重視。 在3μm～ 5μm 波段，hgcdte 與 insb的焦平面陣列探測器件互為競爭對象，各有長處。在 8μm ～ 1 4μm 波段，則以hgcdte焦平面陣列探測器件為發(fā)展重點。提高陣列單元數(shù)目、探索新材料和新結(jié)構(gòu)也是發(fā)展紅外探測器件的重要任務(wù)。 t]I9[5Pq\  
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    (3) 固體成象器件 UIDeMz  
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