今天來探討LED外延片的成長工藝，早期在小積體電路時代，每一個6吋的外延片上制作數以千計的芯片，現在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的外延片上也只能完成一兩百個大型芯片。外延片的制造雖動輒投資數百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎。 T~~$=
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硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹： RnBmy^l"  
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長晶主要程式： :_YG/0%I  
1、融化(MELtDown) y[5P<:&s  
此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化復晶硅，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。 F+y`4>x  
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2、頸部成長(Neck Growth) \A\yuJ=  
當硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定(約6mm)，維持此直徑并拉長10-20cm，以消除晶種內的排差(dislocation)，此種零排差(dislocation-free)的控制主要為將排差局限在頸部的成長。 $E_vCB_  
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3、晶冠成長(Crown Growth) 5iI3u 7Mn1  
長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 {LJ6't 8y:  
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4、晶體成長(Body Growth) s$\8)V52  
利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現象產生。