在LED晶圓(LED外延片)制程方面，不同的襯底材料，需要不同的磊晶（晶圓生長）技術(shù)、芯片加工技術(shù)和封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下9個(gè)方面，襯底的選擇要同時(shí)滿足全部應(yīng)該有的好特性。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工制程的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。 Mf%0Cx `  
I0=YIcH5  
如果我們來看LED襯底材料，好的材料應(yīng)該有的特性如下： S,m)yh.  
(7q!Z!2  
1.結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。 }<o.VY&;.  
4mJ4)  
2.接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強(qiáng)。 &a%