韓國(guó)廠商表示，它們看好性能優(yōu)異和高可靠性的SiC襯底，用于生產(chǎn)微波器件。 r:c@17  
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6月23日消息，半導(dǎo)體化合物廠商韓國(guó)RFHIC日前表示，GaN-on-SiC器件可以同目前市場(chǎng)上的硅襯底進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)，多虧了合作伙伴CREE的碳化硅襯底。 <'}b*wUB  
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“雖然GaN-on-SiC不是最便宜的解決方案，但是CREE鞏固了它的基礎(chǔ)，甚至被喻為最具競(jìng)爭(zhēng)力的LDMOS（微波器件）�！盧FHIC的高級(jí)國(guó)際銷售經(jīng)理Kevin Kim表示。 BKC7kDK3H  
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