我現(xiàn)在對(duì)一個(gè)支架，杯體，膠體定義如附件中所示 5%C-eB  
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但得出的candela 圖角度比實(shí)際測(cè)量要大很多，小弟不才 i[)H!%RV*  
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看不出問題所在，請(qǐng)各大高手指教！ :WejY`}H%  
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其中有可能的是晶片的定義不對(duì)！ 4;8 Z?.  

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實(shí)測(cè)50%光強(qiáng)處是7度

下了你的文檔看了一下，只有一個(gè)oml文件和關(guān)于PMMA-1的材料屬性文件。 };!S2+  
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打開后，發(fā)現(xiàn)你的發(fā)光面的場(chǎng)角分布類型為正比于表面吸收系數(shù)，但這里不知道你定義的表面屬性是什么，所以模擬不出這種情況 1I^[_ /_\y  
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然后我全改為L(zhǎng)ambertian發(fā)光時(shí)，得出的半光強(qiáng)角度為28度   這和你實(shí)測(cè)的7度差距還是很大的  

另外再問個(gè)問題：你們的晶片發(fā)光定義難道不是Lambertian的？？  芯片自身就有很小的角度？

對(duì)于晶體發(fā)光角度我不太明白是用什么類型的，但我請(qǐng)教別人時(shí)是用正比吸收的 0\84~t'[